报告题目：PVT法生长高质量大尺寸独立AlN单晶的新途径

报告人 ：吴亮 教授 上海大学高级特种钢材国家重点实验室

报告时间：2018年10月10日 下午14:00

报告地点：东配楼五楼大会议室

个人简介：

    吴亮教授，获得大连理工大学学士学位，清华大学硕士学位和鲁汶大学博士学位。于2014年以“东方学者” 教授的身份加入上海大学。此前，曾在Intel， FEMAGSoft SA（比利时）和GCL能源控股有限公司担任过各种研发和管理职位。他申请了大约30项专利（包括PCT，主要用于批量AlN晶体生长），并在德国出版了一本相关书籍。他撰写了60多篇期刊/会议论文，并在会上做了报告。被邀请成为PV日本全会的主旨发言人，并被邀请成为ICCGE、 IWMCG、 Semi China、 Semi Japan、 Semi Taiwan、SNEC、 ChinaLED、 PV Summit 等多个国际会议的报告嘉宾。担任“Journal Crystal Growth” 的特邀编辑和特邀评论员，也是“SEMIChina”的科学委员会成员。

摘要：

    由于AlN具有超宽带隙（6.2eV），并与GaN和AlGaN的热膨胀系数和化学性质相似，所以块状单晶氮化铝（AlN）是最合适的用于深紫外光电子器件的基板。然而，当前缺乏足够大和高质量的单晶限制了AlN的发展。在这次报告中，我们介绍了一种新颖的自发式方法，通过内部设计的3英寸PVT升华反应器生长独立式AlN晶体。生长结果表明，通过精确控制反应腔中的温度分布，可以在预烧结的AlN粉末源上生长独立的AlN单晶。在特定生长条件下持续生长100h得到的最大AlN单晶体积达到10mm*8mm*12mm，而普通方法得到的AlN单晶直径在7mm-8mm之间。用RAMAN光谱法和Hdxrd法测得所选晶体的半峰全宽分别为5.5/cm和86弧秒。在熔融共晶KOH/NaOH中，湿法腐蚀后的腐蚀坑密度为10²-7.5×10⁴/cm²。结果表明，采用这种新的生长方法可以生长出高质量、大尺寸的独立生长的AlN单晶。所获得的AlN单晶可以被切割成理想地适合作为随后的同质外延AlN晶体生长的晶种的晶片。我们预计，在高质量的晶种和同型表生素的迭代生长的基础上，英寸大小的AlN单晶在不久的将来可以实现。