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第33期发光学论坛---深紫外(0.2 μm)至太赫兹(300 μm)量子器件的最新进展
  2017-07-20 Prof. Manijeh Razeghi
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    报告人:Prof. Manijeh Razeghi   美国西北大学 

  报告时间:2017.7.20 上午9:30  

  报告地点:东配楼五楼大会议室  

  摘要:  

  大自然为我们提供了各种各样的原子,但需要纳米工程以一种特定的方式将它们组合起来,来实现自然界中未发现的功能结构。 

  对于纳米技术来说,III-V族半导体具有特别丰富的应用背景,它由元素周期表中的III V族元素组成,可构成很多具备有用光电特性的化合物。在高精度电子结构仿真的指导下,采用MBEMOCVD等先进的生长技术,可从原子级构成现代的半导体光电器件,从而实现材料本身所不具备的特性。在这些现代材料生长和表征技术的帮助下,高功率和高效率的功能器件得以制备,例如将电能转换成相干光或探测任何波长的光,并将其转换为电信号。 

  Razeghi教授将在这个报告中介绍最新的世界级研究突破,使量子工程达到了前所未有的水平,在极宽的光谱范围内(从0.2-300 μm)研制了光探测器和发射器。 

  个人简介:  

  Razeghi教授于1980年在法国巴黎大学获得博士学位,之后她成为法国Thomson-CSF公司的探索材料实验室的高级研究科学家及领导者,并于1991年加入美国西北大学并创建了量子器件中心。她是半导体科学技术领域的领先科学家,现在外延技术诸如MOCVDVPEMBEgas MBEMOMBE等的开拓者之一。近些年来,她开展了量子阱和量子点红外探测器、量子级联激光器、锑基I 型和 II型红外高功率激光器及非制冷探测器、GaN-GaAIN 基可见和紫外发射器和探测器等研究,居于世界领先地位。 

  Razeghi教授发表了1000余篇论文,出版了18本书及31篇章节,拥有55项美国专利,超过1000个邀请或大会报告,H因子81。她还是很多期刊的编辑,例如Journal of Nanotechnology Journal of Nanoscience and Nanotechnology等。 她先后当选为MRSIOPIEEEAPSSPIEOSASWEIECFellow,并获得多项国际重要奖项,如2016年的Jan Czochralski Gold Medal2013年的IBM Faculty Award1995年的Society of Women Engineers Achievement Award等。 

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