报告地点：研发大厦616会议室
报告时间：2011年3月9日下午1:30
王旭光研究员简历：
1999年获得清华大学学士学位；2002年，获得美国赖斯大学（Rice University）硕士学位；2005年获得德州大学奥斯丁分校（UT Austin）博士学位。从事半导体存储技术研究10余年，承担过美国国家自然科学基金、MARCO、SRC等多个科研机构的半导体存储器的研究工作。已经批准和正在申请中的专利超过了20项，在IEEE Electron Device Letters, IEEE Transaction on Electron Devices等期刊发表多篇，近5年内被引用次数超过200次，它引期刊数超过60种。
2005 -2007年在全世界最大的单一半导体闪存厂商Spansion参加了65和45纳米闪存芯片的研发工作，发现了在深亚微米尺度闪存阵列的一些新现象并提出了解决方案；2007-2010年加入了全世界最大的硬盘存储厂商Seagate，作为技术带头人参加了电子自选磁矩闪存(Spin Transfer Torque RAM)以及固态存储(Solid State Storage)技术的研发工作。2010年归国，在中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所工作，目前研究工作致力于使用新一代半导体闪存开发高速高可靠性固态存储设备、相关管理软件和核心控制芯片。
科研管理三处
二〇一一年三月七日
